SQJ407EP-T1_GE3 是一款由威世晶体管（Vishay Semiconductor）生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。以下是可能与该型号相关的一些功能和特性：
1. MOSFET类型：SQJ407EP-T1_GE3 是一款N沟道MOSFET，N沟道表示沟道区域中的载流子为负电荷（电子）。
2. 高电压和高电流能力：该型号的MOSFET具有较高的承受电压和电流能力，可以在高功率应用中使用。
3. 低导通电阻：这款MOSFET在导通状态下的电阻较低，能够带来较低的导通压降和较小的功耗。
4. 低开关损耗：该型号的MOSFET具有较低的开关损耗，可以提供高效的开关性能。
5. 放电保护：此MOSFET可能具有过流和过热保护功能，以增强设备的可靠性和安全性。
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8-4
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 169 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 68 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: TrenchFET
系列: SQ
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
单位重量: 506.600 mg
